Китайцы продолжают сокращать технологический разрыв с мировыми производителями 3D Nand и DRAM памяти

Руководство свежеиспеченного китайского чипмейкера Yangtze Memory Technologies обнародовало планы компании на следующий год. Согласно заявлению исполнительного директора YMT Ч. Кау компания планирует начать производство DRAM памяти с 18–20 нанометрового технологического процесса, а 3D NAND памяти — с 32-слойного поколения. Наряду с этим, до конца года инженеры YMT намерены разработать технологический процесс для изготовления 64-слойной 3D NAND памяти.

Таким образом, технологический зазор между китайскими вендорами и признанными лидерами полупроводниковой отрасли вроде SK Hynix, Samsung Electronics и Micron сократится до минимума. Конечно, справедливости ради необходимо отметить, что по объемам производства китайские производства все еще будут отставать от лидеров глобального рынка полупроводниковых решений, однако уже к 2025 году они смогут сократить это отставание. Дело в том, что к этому времени на территории материкового Китая будут запущены новые гигантские фабрики, специализирующиеся на выпуске 3D NAND и DRAM памяти.

В нынешнем году южнокорейская корпорация Samsung Electronics намерена запустить производство 64-слойной памяти на своем новом заводе. Кроме этого, увеличить объемы производства 64-слойной NAND планирует и японская корпорация Toshiba. Что касается компании SK Hynix, то на текущий момент она занимается производством 48-слойной памяти, однако уже со второй половины нынешнего года начнет выпуск 72-слойной памяти NAND TLC. Таким образом, китайские производители, которые начнут выпуск 32-слойной памяти в следующем году, будут отставать от лидеров глобального рынка полупроводниковых решений всего на один год, что является откровенно неплохим показателем для новичков.